1TB Samsung 990 EVO - 5000MB/s
Максимальная скорость чтения, МБ/с5000
Номинальный объем, ГБ1000
Форм-фактор накопителяM.2 2280
Характеристики
Коммуникации, связь
Версия PCI-EPCIe 4.0 x4 w/NVMe
Тип интерфейсаPCI Express
Конструктивные особенности
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.1500
Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ600
Ударостойкость при хранении, G1500
Основные характеристики
КонтроллерSamsung
Максимальная скорость записи, МБ/с4200
Максимальная скорость чтения, МБ/с5000
Номинальный объем, ГБ1000
Поддержка NVMeДа
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)Да
Позиционирование использованияDesktop
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS20
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS90
ТипВнутренний твердотельный накопитель
Тип буферной памятиHMB
Тип памятиV-NAND TLC
Форм-фактор накопителяM.2 2280
Прочие характеристики
Высота, мм4751
Глубина, мм26937
Комплект поставкиНакопитель, инструкция
ОсобенностиИнтерфейс PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe2.0
Ссылка на описаниеhttps://www.samsung.com/au/memory-storage/nvme-ssd/990-evo-1tb-mz-v9e1t0bw/
Тип комплектацииRTL
Ширина, мм2072
Энергопотребление при работе, max, Вт4.9